Технологический прорыв Samsung
На профильной выставке Computex Taipei 2026 корпорация Samsung продемонстрировала первые наработки в области памяти стандарта HBM5. Данное решение представляет собой восьмое поколение высокоскоростной памяти, созданной с прицелом на развитие систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных комплексов.
Перспективы производства и архитектура
По предварительным планам, вывод HBM5 на рынок запланирован на временной отрезок между 2029 и 2031 годами. Для создания чипов нового типа планируется задействовать передовые технологические процессы: базовый кристалл будет выполнен по 2-нм нормам, а для DRAM-слоев применят 1-нм техпроцесс.
Охлаждение и производительность
Инженеры компании уделили особое внимание теплоотводу, так как подобные системы будут отличаться высоким уровнем энергопотребления. В качестве основного метода борьбы с перегревом рассматривается иммерсионное охлаждение — технология, при которой компоненты памяти полностью погружаются в специализированную непроводящую жидкость.
Ожидаемые технические характеристики новой памяти впечатляют:
- Интерфейс ввода-вывода расширится до 4096 бит, что вдвое превышает показатели HBM4.
- Стандартом станет 16-слойная (16-Hi) архитектура стека.
- Пропускная способность одного модуля прогнозируется на уровне 4 ТБ/с.