Южнокорейский технологический гигант Samsung Electronics объявил о начале отправки первых образцов памяти нового стандарта HBM4E своим заказчикам. Новинка представляет собой 12-слойную архитектуру, демонстрирующую прирост производительности более чем на 20% по сравнению с предшествующим поколением HBM4.
Технологические особенности новинки
При производстве чипов инженеры компании применили передовой техпроцесс 1c DRAM, относящийся к шестому поколению 10-нанометрового класса. В качестве основы для логического слоя была задействована 4-нм технология. Столь оперативный запуск — всего через квартал после старта поставок HBM4 — подчеркивает стремление корпорации ускорить темпы инноваций.
Стратегические цели и рыночная ситуация
Данный шаг является ключевым элементом стратегии Samsung, направленной на укрепление позиций в сегменте высокопроизводительной памяти, где конкуренция с такими игроками, как SK Hynix и Micron, остается крайне острой. На текущий момент распределение долей рынка выглядит следующим образом:
- SK Hynix — 57%
- Samsung — 22%
- Micron — 21%
Среди основных потребителей продукции Samsung по-прежнему значатся лидеры индустрии: AMD, Nvidia и Google. Кроме того, на фоне новостей о партнерстве с компанией Anthropic в сфере полупроводников, котировки акций Samsung продемонстрировали рост на 6,5%.
Эксперты полагают, что успешная квалификация HBM4E способна существенно переломить текущую расстановку сил. Дополнительным фактором успеха для Samsung может стать перераспределение спроса в сфере контрактного производства чипов, вызванное высокой загруженностью мощностей TSMC.